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AI助力,2025年HBM需求飙升,资本流向DRAM与HBM市场。

时间:2024-12-25 14:51:45 标签: 12 0

根据全球领先的先进技术分析和知识产权服务提供商TechInsights发布的最新报告,预计2025年全球存储器市场将迎来显著增长。这一增长主要得益于人工智能(AI)及相关技术的加速采用,尤其是机器学习和深度学习等数据密集型应用的需求激增。

AI推动HBM需求激增

在数据密集型应用中,如机器学习和深度学习,AI对高带宽内存的需求日益高涨。据业界观察,2025年HBM的出货量预计将同比增长70%。这一增长主要得益于数据中心和AI处理器对低延迟、高带宽内存解决方案的迫切需求。随着制造商优先生产HBM以满足市场需求,DRAM市场格局有望重塑,HBM将成为存储器市场的新宠。

QLC NAND技术迎来新机遇

与此同时,AI技术的普及也推动了对大容量SSD的需求。QLC NAND技术,以其较低的成本和更高的密度,成为满足这一需求的理想选择。尽管QLC SSD的写入速度较慢,但其成本效益和适合AI驱动的数据存储需求的特点,使其在市场中备受青睐。预计2025年,数据中心NAND bit需求将继续保持强劲增长态势,继2024年约70%的爆炸性增长之后,增长率仍将超过30%。

资本支出大幅转向DRAM和HBM

受AI应用激增的推动,存储器市场的资本支出(capex)也发生显著变化。越来越多的资金流向DRAM领域,特别是HBM的生产。预计2025年,DRAM资本支出将同比增长近20%。然而,这一转变也导致对NAND生产的投资减少,可能在市场上造成潜在的供应瓶颈。尽管如此,NAND领域的盈利能力持续改善,有望在2026年重新点燃该领域的投资热情。

边缘AI崭露头角,市场影响待观察

边缘AI技术将AI处理功能更接近数据源,如智能手机和PC等设备。预计这一技术将在2025年进入市场,但其全面影响可能要到2026年才会显现。具有真正设备端AI功能的设备预计将在2025年底推出,但初期销量可能不足以立即影响存储器市场。然而,随着边缘AI技术的普及,其对适合新功能的内存解决方案的需求将逐渐增长,为存储器市场带来新的发展机遇。

数据中心AI延迟传统服务器更换周期

值得注意的是,对AI驱动的数据中心的关注也导致传统服务器基础设施的更换周期被延迟。许多企业正在将资源转移到升级其AI能力上,导致传统服务器需要更新但尚未进行。虽然这种延迟在短期内可能是可控的,但长期来看,这些服务器的更新将推动DRAM和NAND需求的突然激增。因此,存储器市场需密切关注这一趋势的发展,以应对未来可能的市场变化。

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